Hall-Effekt, p-Ge auf Leiterplatte

Hochwertige Wechselplatine mit p-dotiertem Ge-Kristall zur Untersuchung der Leitfähigkeit und der Hall-Spannung
für p-dotiertes Germanium in Abhängigkeit von der Temperatur.
Mit Kontakten für Querstrom und Hall-Spannung, integrierter Widerstandsheizung mit Thermofühler direkt unter
dem Kristall und Vielfachstecker zum Anschluss der Leiterplatte an das Hall-Effekt-Basisgerät (1009934_3B)
Technische Daten:
Kristallabmessungen: ca. 20x10x1 mm³
Abmessungen: ca. 70x70x10 mm³
Masse: ca. 30 g